Ko'p foydalanuvchilar sputtering nishoni mahsuloti haqida eshitgan bo'lishi kerak, ammo nishonni püskürtme printsipi nisbatan notanish bo'lishi kerak.Endi, muharririBoy maxsus material (RSM) purkash maqsadining magnetronli püskürtme tamoyillari bilan o'rtoqlashadi.
Olingan maqsad elektrod (katod) va anod o'rtasida ortogonal magnit maydon va elektr maydon qo'shiladi, kerakli inert gaz (umuman Ar gazi) yuqori vakuum kamerasiga to'ldiriladi, doimiy magnit 250 ~ 350 Gauss magnit maydonini hosil qiladi. maqsadli ma'lumotlarning yuzasi va ortogonal elektromagnit maydon yuqori kuchlanishli elektr maydoni bilan hosil bo'ladi.
Elektr maydoni ta'sirida Ar gazi ijobiy ionlar va elektronlarga ionlanadi.Maqsadga ma'lum bir salbiy yuqori kuchlanish qo'shiladi.Maqsadli qutbdan chiqarilgan elektronlarga magnit maydonning ta'siri va ishchi gazning ionlanish ehtimoli ortadi, katod yaqinida yuqori zichlikdagi plazma hosil bo'ladi.Lorents kuchi ta'sirida Ar ionlari nishon yuzasiga tezlashadi va nishon sirtini juda yuqori tezlikda bombardimon qiladi, Nishonga sochilgan atomlar impulsni aylantirish printsipiga amal qiladi va yuqori kinetik energiyaga ega bo'lgan maqsad sirtidan substratga uchib ketadi. filmlarni saqlash uchun.
Magnetron purkash odatda ikki turga bo'linadi: irmoqli purkash va radio chastotali püskürtme.Tarmoqli purkash uskunasining printsipi oddiy va uning tezligi metallni sepishda ham tezdir.RF püskürtme keng qo'llaniladi.Supero'tkazuvchilar materiallarni purkashdan tashqari, u o'tkazmaydigan materiallarni ham sochishi mumkin.Shu bilan birga, u oksidlar, nitridlar, karbidlar va boshqa birikmalarning materiallarini tayyorlash uchun reaktiv püskürtmeyi ham amalga oshiradi.Agar RF chastotasi oshirilsa, u mikroto'lqinli plazma purkashiga aylanadi.Hozirgi vaqtda elektron siklotron rezonansi (ECR) mikroto'lqinli plazma püskürtmesi odatda qo'llaniladi.
Yuborilgan vaqt: 2022 yil 31-may