Silikon asosidagi fotonik hozirda o'rnatilgan aloqa uchun keyingi avlod fotonik platformasi hisoblanadi.Biroq, ixcham va kam quvvatli optik modulyatorlarni ishlab chiqish muammoligicha qolmoqda.Bu erda biz Ge/SiGe ulangan kvant quduqlarida ulkan elektro-optik effekt haqida xabar beramiz.Ushbu istiqbolli effekt ulangan Ge/SiGe kvant quduqlarida elektronlar va teshiklarning alohida chegaralanishi tufayli anomal kvant Stark effektiga asoslangan.Ushbu hodisa kremniy fotonikasida hozirgacha ishlab chiqilgan standart yondashuvlarga nisbatan yorug'lik modulyatorlarining ish faoliyatini sezilarli darajada yaxshilash uchun ishlatilishi mumkin.Biz sinishi indeksidagi o'zgarishlarni 1,5 V kuchlanish kuchlanishida 2,3 × 10-3 gacha o'lchadik, mos keladigan modulyatsiya samaradorligi VpLp 0,046 Vcm.Ushbu namoyish Ge/SiGe material tizimlariga asoslangan samarali yuqori tezlikdagi fazali modulyatorlarni ishlab chiqish uchun yo'l ochadi.
Xabar berish vaqti: 2023 yil 06-iyun