So'nggi paytlarda ko'plab do'stlar molibden püskürtme nishonlarining xususiyatlari haqida so'rashdi.Elektron sanoatda purkash samaradorligini oshirish va yotqizilgan plyonkalarning sifatini ta'minlash uchun molibdenni püskürtme maqsadlari xususiyatlariga qanday talablar qo'yiladi?Endi RSM ning texnik mutaxassislari buni bizga tushuntirib berishadi.
1. Poklik
Yuqori tozalik molibdenni püskürtme maqsadining asosiy xarakterli talabidir.Molibden maqsadining tozaligi qanchalik yuqori bo'lsa, purkalgan plyonkaning ishlashi shunchalik yaxshi bo'ladi.Odatda, molibden püskürtme maqsadining tozaligi kamida 99,95% bo'lishi kerak (massa ulushi, quyida bir xil).Biroq, LCD sanoatida shisha substratning o'lchamini doimiy ravishda yaxshilash bilan simlarning uzunligini uzaytirish va chiziq kengligini ingichka bo'lishi kerak.Filmning bir xilligini va simlarning sifatini ta'minlash uchun molibdenni purkash maqsadining tozaligini ham mos ravishda oshirish kerak.Shuning uchun, purkalgan shisha substratning o'lchamiga va foydalanish muhitiga ko'ra, molibden püskürtme maqsadining tozaligi 99,99% - 99,999% yoki undan yuqori bo'lishi kerak.
Molibden purkash maqsadi purkashda katod manbai sifatida ishlatiladi.Qattiq aralashmalar va g'ovaklardagi kislorod va suv bug'lari yotqizilgan plyonkalarning asosiy ifloslanish manbalari hisoblanadi.Bundan tashqari, elektron sanoatda, gidroksidi metall ionlari (Na, K) izolyatsiya qatlamida mobil ionlarga aylanishi oson bo'lganligi sababli, original qurilmaning ishlashi kamayadi;Uran (U) va titan (TI) kabi elementlar a rentgen nurlari chiqariladi, bu esa asboblarning yumshoq buzilishiga olib keladi;Temir va nikel ionlari interfeysning oqishi va kislorod elementlarining ko'payishiga olib keladi.Shuning uchun, molibdenni püskürtme maqsadini tayyorlash jarayonida ushbu nopoklik elementlari maqsaddagi tarkibini minimallashtirish uchun qat'iy nazorat qilinishi kerak.
2. Donning kattaligi va hajmining taqsimlanishi
Odatda, molibdenni püskürtme maqsadi polikristalli tuzilishdir va don hajmi mikrondan millimetrgacha bo'lishi mumkin.Eksperimental natijalar shuni ko'rsatadiki, mayda donli nishonning chayqalish tezligi qo'pol don nishoniga qaraganda tezroq;Kichik don o'lchami farqiga ega bo'lgan maqsad uchun yotqizilgan plyonkaning qalinligi taqsimoti ham bir xil bo'ladi.
3. Kristal orientatsiyasi
Maqsadli atomlarni püskürtme paytida olti burchakli yo'nalishda atomlarning eng yaqin joylashuvi yo'nalishi bo'yicha afzal ko'rish oson bo'lganligi sababli, eng yuqori püskürtme tezligiga erishish uchun, ko'pincha maqsadning kristal tuzilishini o'zgartirish orqali püskürtme tezligi ortadi.Nishonning kristall yo'nalishi ham purkalgan plyonkaning qalinligi bir xilligiga katta ta'sir ko'rsatadi.Shuning uchun, plyonkaning purkash jarayoni uchun ma'lum bir kristalga yo'naltirilgan maqsadli strukturani olish juda muhimdir.
4. Zichlanish
Qoplash jarayonida, past zichlikdagi purkash nishoni bombardimon qilinganda, nishonning ichki teshiklarida mavjud bo'lgan gaz to'satdan ajralib chiqadi, natijada katta o'lchamdagi nishon zarralari yoki zarrachalari sachraydi yoki plyonkali material bombardimon qilinadi. plyonka hosil bo'lgandan keyin ikkilamchi elektronlar tomonidan, natijada zarrachalar chayqaladi.Ushbu zarrachalarning paydo bo'lishi plyonka sifatini pasaytiradi.Maqsadli qattiq moddadagi teshiklarni kamaytirish va plyonka ish faoliyatini yaxshilash uchun, odatda, püskürtme maqsadi yuqori zichlikka ega bo'lishi kerak.Molibdenni püskürtme maqsadi uchun uning nisbiy zichligi 98% dan ortiq bo'lishi kerak.
5. Maqsad va shassilarni bog'lash
Umuman olganda, molibdenni purkash maqsadi purkashdan oldin kislorodsiz mis (yoki alyuminiy va boshqa materiallar) shassisiga ulangan bo'lishi kerak, shunda maqsad va shassisning issiqlik o'tkazuvchanligi püskürtme jarayonida yaxshi bo'ladi.Bog'langandan so'ng, ultratovush tekshiruvi ikkalasining bog'lanmaydigan maydoni 2% dan kam bo'lishini ta'minlash uchun amalga oshirilishi kerak, shuning uchun yiqilmasdan yuqori quvvatli püskürtme talablariga javob beradi.
Xabar vaqti: 2022-yil-19-iyul